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<!DOCTYPE html> <html class="client-nojs" lang="de" dir="ltr"> <head> <meta charset="UTF-8"> <title>Halbleiter mit breitem Bandabstand – Wikipedia</title> <script>(function(){var className="client-js";var cookie=document.cookie.match(/(?:^|; )dewikimwclientpreferences=([^;]+)/);if(cookie){cookie[1].split('%2C').forEach(function(pref){className=className.replace(new RegExp('(^| )'+pref.replace(/-clientpref-\w+$|[^\w-]+/g,'')+'-clientpref-\\w+( |$)'),'$1'+pref+'$2');});}document.documentElement.className=className;}());RLCONF={"wgBreakFrames":false,"wgSeparatorTransformTable":[",\t.",".\t,"],"wgDigitTransformTable":["",""],"wgDefaultDateFormat":"dmy","wgMonthNames":["","Januar","Februar","März","April","Mai","Juni","Juli","August","September","Oktober","November","Dezember"],"wgRequestId":"c5b83beb-54c7-4b3c-ad78-997c71cba454","wgCanonicalNamespace":"","wgCanonicalSpecialPageName":false,"wgNamespaceNumber":0,"wgPageName":"Halbleiter_mit_breitem_Bandabstand","wgTitle":"Halbleiter mit 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rel="dns-prefetch" href="//login.wikimedia.org"> </head> <body class="skin-vector-legacy mediawiki ltr sitedir-ltr mw-hide-empty-elt ns-0 ns-subject mw-editable page-Halbleiter_mit_breitem_Bandabstand rootpage-Halbleiter_mit_breitem_Bandabstand skin-vector action-view"><div id="mw-page-base" class="noprint"></div> <div id="mw-head-base" class="noprint"></div> <div id="content" class="mw-body" role="main"> <a id="top"></a> <div id="siteNotice"></div> <div class="mw-indicators"> </div> <h1 id="firstHeading" class="firstHeading mw-first-heading"><span class="mw-page-title-main">Halbleiter mit breitem Bandabstand</span></h1> <div id="bodyContent" class="vector-body"> <div id="siteSub" class="noprint">aus Wikipedia, der freien Enzyklopädie</div> <div id="contentSub"><div id="mw-content-subtitle"></div></div> <div id="contentSub2"></div> <div id="jump-to-nav"></div> <a class="mw-jump-link" href="#mw-head">Zur Navigation springen</a> <a class="mw-jump-link" href="#searchInput">Zur Suche springen</a> <div id="mw-content-text" class="mw-body-content"><div class="mw-content-ltr mw-parser-output" lang="de" dir="ltr"><figure class="mw-default-size" typeof="mw:File/Thumb"><a href="/wiki/Datei:Uv-LED.jpg" class="mw-file-description"><img src="//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/e/ef/Uv-LED.jpg/220px-Uv-LED.jpg" decoding="async" width="220" height="165" class="mw-file-element" srcset="//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/e/ef/Uv-LED.jpg/330px-Uv-LED.jpg 1.5x, //upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/e/ef/Uv-LED.jpg/440px-Uv-LED.jpg 2x" data-file-width="600" data-file-height="451" /></a><figcaption>UV-LED mit dem Wide-Bandgap-Material InGaN</figcaption></figure> <p><b>Halbleiter mit breitem Bandabstand</b><sup id="cite_ref-books-GrMzCjVNHEsC-478_1-0" class="reference"><a href="#cite_note-books-GrMzCjVNHEsC-478-1"><span class="cite-bracket">[</span>1<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> (<span style="font-style:normal;font-weight:normal"><a href="/wiki/Englische_Sprache" title="Englische Sprache">englisch</a></span> <span lang="en-Latn" style="font-style:italic">wide-bandgap semiconductors</span>, davon abgeleitet <i>Wide-Bandgap-Halbleiter</i>, aber <i>breitbandige Halbleiter</i><sup id="cite_ref-Thema_Forschung_2-0" class="reference"><a href="#cite_note-Thema_Forschung-2"><span class="cite-bracket">[</span>2<span class="cite-bracket">]</span></a></sup>) sind <a href="/wiki/Halbleiter" title="Halbleiter">Halbleiter</a>, deren <a href="/wiki/Bandl%C3%BCcke" title="Bandlücke">Bandabstand/Bandlücke</a> (Energieabstand zwischen <a href="/wiki/Valenzband" title="Valenzband">Valenzband</a> und <a href="/wiki/Leitungsband" title="Leitungsband">Leitungsband</a>) am oberen Ende des Bereichs der Halbleiter (3 <a href="/wiki/Elektronenvolt" title="Elektronenvolt">eV</a> bis über 4 eV) liegt. </p> <div id="toc" class="toc" role="navigation" aria-labelledby="mw-toc-heading"><input type="checkbox" role="button" id="toctogglecheckbox" class="toctogglecheckbox" style="display:none" /><div class="toctitle" lang="de" dir="ltr"><h2 id="mw-toc-heading">Inhaltsverzeichnis</h2><span class="toctogglespan"><label class="toctogglelabel" for="toctogglecheckbox"></label></span></div> <ul> <li class="toclevel-1 tocsection-1"><a href="#Eigenschaften_und_Anwendungen"><span class="tocnumber">1</span> <span class="toctext">Eigenschaften und Anwendungen</span></a></li> <li class="toclevel-1 tocsection-2"><a href="#Vertreter"><span class="tocnumber">2</span> <span class="toctext">Vertreter</span></a></li> <li class="toclevel-1 tocsection-3"><a href="#Markt"><span class="tocnumber">3</span> <span class="toctext">Markt</span></a></li> <li class="toclevel-1 tocsection-4"><a href="#Industrie"><span class="tocnumber">4</span> <span class="toctext">Industrie</span></a></li> <li class="toclevel-1 tocsection-5"><a href="#Literatur"><span class="tocnumber">5</span> <span class="toctext">Literatur</span></a></li> <li class="toclevel-1 tocsection-6"><a href="#Einzelnachweise"><span class="tocnumber">6</span> <span class="toctext">Einzelnachweise</span></a></li> </ul> </div> <div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Eigenschaften_und_Anwendungen">Eigenschaften und Anwendungen</h2><span class="mw-editsection"><span class="mw-editsection-bracket">[</span><a href="/w/index.php?title=Halbleiter_mit_breitem_Bandabstand&veaction=edit&section=1" title="Abschnitt bearbeiten: Eigenschaften und Anwendungen" class="mw-editsection-visualeditor"><span>Bearbeiten</span></a><span class="mw-editsection-divider"> | </span><a href="/w/index.php?title=Halbleiter_mit_breitem_Bandabstand&action=edit&section=1" title="Quellcode des Abschnitts bearbeiten: Eigenschaften und Anwendungen"><span>Quelltext bearbeiten</span></a><span class="mw-editsection-bracket">]</span></span></div> <p>Die Eigenschaften von Halbleitermaterialien werden überwiegend bestimmt durch den energetischen Abstand zwischen Valenzband und Leitungsband. Elektrische Leiter haben keine Bandlücke, während die Bandlücke bei <a href="/wiki/Nichtleiter" title="Nichtleiter">Nichtleitern</a> größer als 4 eV ist.<sup id="cite_ref-3" class="reference"><a href="#cite_note-3"><span class="cite-bracket">[</span>3<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> Bei den bisher meist verwendeten Halbleitern liegt die Bandlücke im unteren Bereich, bei Raumtemperatur z. B. für <a href="/wiki/Germanium" title="Germanium">Germanium</a> (Ge) bei 0,67 eV, für <a href="/wiki/Silicium" title="Silicium">Silicium</a> (Si) bei 1,12 eV und für <a href="/wiki/Galliumarsenid" title="Galliumarsenid">Galliumarsenid</a> (GaAs) bei 1,42 eV. Bei Wide-Bandgap-Halbleitern ist die Bandlücke größer als 3 eV.<sup id="cite_ref-4" class="reference"><a href="#cite_note-4"><span class="cite-bracket">[</span>4<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> </p><p>Wegen der hervorragenden Eigenschaften von Silicium in der Produktion von Halbleiterschaltungen und deren Anwendungen basieren die meisten elektronischen Schaltungen auf Silicium als Halbleitermaterial. </p><p>Für <a href="/wiki/Low_Noise_Amplifier" title="Low Noise Amplifier">rauscharme Verstärker</a> und Hochfrequenzverstärker im <a href="/wiki/Mobiltelefon" title="Mobiltelefon">Mobiltelefon</a> und der <a href="/wiki/Satellitenkommunikation" title="Satellitenkommunikation">Satellitenkommunikation</a> wird häufig der <a href="/wiki/Halbleiter#Einteilung" title="Halbleiter">Verbindungshalbleiter</a> GaAs eingesetzt.<sup id="cite_ref-Thema_Forschung_2-1" class="reference"><a href="#cite_note-Thema_Forschung-2"><span class="cite-bracket">[</span>2<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> </p><p>In Hochfrequenz-Leistungsverstärkern der <a href="/wiki/Mobilfunknetz" title="Mobilfunknetz">Mobilfunknetz</a>-Infrastruktur werden zunehmend GaN-Bauteile verwendet.<sup id="cite_ref-5" class="reference"><a href="#cite_note-5"><span class="cite-bracket">[</span>5<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> </p><p>Für Leistungs-MOSFET und IGBT finden die Werkstoffe SiC und GaN Verwendung und bieten höhere Sperrspannungen, höhere Betriebstemperatur und schnelleres Schalten wegen der höheren <a href="/wiki/Elektronenbeweglichkeit" class="mw-redirect" title="Elektronenbeweglichkeit">Elektronenbeweglichkeit</a> (<a href="/wiki/HEMT" class="mw-redirect" title="HEMT">HEMT</a>). </p><p>Die Verwendung von Wide-Bandgap-Materialien bietet folgende Vorteile:<sup id="cite_ref-USDOE_6-0" class="reference"><a href="#cite_note-USDOE-6"><span class="cite-bracket">[</span>6<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> </p> <ul><li>Geringere Verluste bei <a href="/wiki/Schaltregler" title="Schaltregler">Schaltreglern</a><sup id="cite_ref-7" class="reference"><a href="#cite_note-7"><span class="cite-bracket">[</span>7<span class="cite-bracket">]</span></a></sup></li> <li>Verarbeitung höherer Spannungen</li> <li>Betrieb bei höheren (Umgebungs-)Temperaturen</li> <li>Verarbeitung höherer Frequenzen</li> <li>höhere <a href="/wiki/Zuverl%C3%A4ssigkeit_(Technik)" title="Zuverlässigkeit (Technik)">Zuverlässigkeit</a></li></ul> <p>Neben diesen schaltungstechnischen Eigenschaften ermöglicht die hohe Bandlücke die effektive Emission kurzwelligeren Lichts und so beispielsweise <a href="/wiki/Leuchtdiode" title="Leuchtdiode">Leuchtdioden</a> (LED) in den Farben Blau bis <a href="/wiki/Ultraviolett" class="mw-redirect" title="Ultraviolett">Ultraviolett</a>. </p><p>Der weiteren Verbreitung der Materialien stehen einige Nachteile entgegen: Neben der Herstellbarkeit im industriellen Maßstab bei vertretbaren Herstellungskosten müssen Entwicklungswerkzeuge die Materialeigenschaften unterstützen und neue Gehäusetechnologien die Verwendung bei möglichen höheren Betriebstemperaturen erlauben.<sup id="cite_ref-USDOE_6-1" class="reference"><a href="#cite_note-USDOE-6"><span class="cite-bracket">[</span>6<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> Anders als bei der Silizium-Technologie müssen die Wide-Bandgap-Halbleiter für Leistungsbauelemente meist auf Substrate aus anderen (leichter herzustellenden) Materialien aufgebracht werden: GaN auf <a href="/wiki/Saphir" title="Saphir">Saphir</a> oder <a href="/wiki/SiC" class="mw-redirect" title="SiC">SiC</a>, SiC und Diamant auf Silizium.<sup id="cite_ref-8" class="reference"><a href="#cite_note-8"><span class="cite-bracket">[</span>8<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> </p> <div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Vertreter">Vertreter</h2><span class="mw-editsection"><span class="mw-editsection-bracket">[</span><a href="/w/index.php?title=Halbleiter_mit_breitem_Bandabstand&veaction=edit&section=2" title="Abschnitt bearbeiten: Vertreter" class="mw-editsection-visualeditor"><span>Bearbeiten</span></a><span class="mw-editsection-divider"> | </span><a href="/w/index.php?title=Halbleiter_mit_breitem_Bandabstand&action=edit&section=2" title="Quellcode des Abschnitts bearbeiten: Vertreter"><span>Quelltext bearbeiten</span></a><span class="mw-editsection-bracket">]</span></span></div> <table class="wikitable float-right"> <caption>Wide-Bandgap-Halbleiter (Beispiele) </caption> <tbody><tr class="hintergrundfarbe6"> <th>Material </th> <th>Bandlücke in eV<br />(bei 300 K) </th></tr> <tr class="hintergrundfarbe8"> <td colspan="2"><a href="/w/index.php?title=IV-IV-Verbindungshalbleiter&action=edit&redlink=1" class="new" title="IV-IV-Verbindungshalbleiter (Seite nicht vorhanden)">IV-IV-Verbindungshalbleiter</a> </td></tr> <tr> <td><a href="/wiki/Siliciumcarbid" title="Siliciumcarbid">SiC</a></td> <td>3,03 </td></tr> <tr class="hintergrundfarbe8"> <td colspan="2"><a href="/wiki/III-V-Verbindungshalbleiter" title="III-V-Verbindungshalbleiter">III-V-Verbindungshalbleiter</a> </td></tr> <tr> <td><a href="/wiki/Galliumnitrid" title="Galliumnitrid">GaN</a></td> <td>3,37 </td></tr> <tr> <td><a href="/wiki/Indiumgalliumnitrid" title="Indiumgalliumnitrid">InGaN</a></td> <td>0,7–3,37 </td></tr> <tr> <td><a href="/wiki/Bornitrid" title="Bornitrid">BN</a></td> <td>5,8 </td></tr> <tr> <td><a href="/wiki/Aluminiumnitrid" title="Aluminiumnitrid">AlN</a></td> <td>6,2 </td></tr> <tr class="hintergrundfarbe8"> <td colspan="2"><a href="/wiki/II-VI-Verbindungshalbleiter" title="II-VI-Verbindungshalbleiter">II-VI-Verbindungshalbleiter</a> </td></tr> <tr> <td><a href="/wiki/Zinkoxid" title="Zinkoxid">ZnO</a></td> <td>3,37 </td></tr> <tr class="hintergrundfarbe8"> <td colspan="2">Element </td></tr> <tr> <td><a href="/wiki/Kohlenstoff" title="Kohlenstoff">C</a> (als <a href="/wiki/Diamant" title="Diamant">Diamant</a>)</td> <td>5,46–5,6 </td></tr> </tbody></table> <p>Bandlücken im entsprechenden Energiebereich finden sich z. B. beim elementaren <a href="/wiki/Kohlenstoff" title="Kohlenstoff">Kohlenstoff</a> in der Modifikation als <a href="/wiki/Diamant" title="Diamant">Diamant</a>.<sup id="cite_ref-9" class="reference"><a href="#cite_note-9"><span class="cite-bracket">[</span>9<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> Eine mögliche Kombination von Elementen der Gruppe IV des <a href="/wiki/Periodensystem" title="Periodensystem">Periodensystems</a> ist <a href="/wiki/Siliciumcarbid" title="Siliciumcarbid">Siliciumcarbid</a>. Aus dem Bereich der Verbindungshalbleiter gibt es verschiedene geeignete Kombinationen wie <a href="/wiki/Galliumnitrid" title="Galliumnitrid">Galliumnitrid</a> (III-V) und <a href="/wiki/Zinkoxid" title="Zinkoxid">Zinkoxid</a> (II-VI). Auch entsprechende Verbindungshalbleiter mit mehr als zwei Elementen wie z. B. <a href="/wiki/Indiumgalliumnitrid" title="Indiumgalliumnitrid">Indiumgalliumnitrid</a> (InGaN) kommen als Material in Frage. Hierbei kann sogar die Bandlücke durch das Verhältnis von <a href="/wiki/Indiumnitrid" title="Indiumnitrid">Indiumnitrid</a> zu Galliumnitrid eingestellt werden. </p> <div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Markt">Markt</h2><span class="mw-editsection"><span class="mw-editsection-bracket">[</span><a href="/w/index.php?title=Halbleiter_mit_breitem_Bandabstand&veaction=edit&section=3" title="Abschnitt bearbeiten: Markt" class="mw-editsection-visualeditor"><span>Bearbeiten</span></a><span class="mw-editsection-divider"> | </span><a href="/w/index.php?title=Halbleiter_mit_breitem_Bandabstand&action=edit&section=3" title="Quellcode des Abschnitts bearbeiten: Markt"><span>Quelltext bearbeiten</span></a><span class="mw-editsection-bracket">]</span></span></div> <p>Laut der taiwanischen Elektronik-Tageszeitung <a href="/wiki/DigiTimes" title="DigiTimes">DigiTimes</a> war der Markt für Silizium-basierte Leistungshalbleiter im Jahr 2016 größer als 24 Mrd. US-Dollar. Im selben Jahr wurden mit SiC und GaN nur 200 Mio. US-Dollar bzw. 14 Mio. US-Dollar umgesetzt, wobei aber für die Zukunft höhere Wachstumsraten für die Verbindungshalbleiter erwartet werden. SiC wird Silizium vornehmlich in Hochleistungsanwendungen ersetzen und GaN in mittleren Leistungsbereichen.<sup id="cite_ref-10" class="reference"><a href="#cite_note-10"><span class="cite-bracket">[</span>10<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> 2019 lag der Umsatz mit SiC-Halbleitern bereits bei USD 500 Mio.<sup id="cite_ref-11" class="reference"><a href="#cite_note-11"><span class="cite-bracket">[</span>11<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> </p> <div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Industrie">Industrie</h2><span class="mw-editsection"><span class="mw-editsection-bracket">[</span><a href="/w/index.php?title=Halbleiter_mit_breitem_Bandabstand&veaction=edit&section=4" title="Abschnitt bearbeiten: Industrie" class="mw-editsection-visualeditor"><span>Bearbeiten</span></a><span class="mw-editsection-divider"> | </span><a href="/w/index.php?title=Halbleiter_mit_breitem_Bandabstand&action=edit&section=4" title="Quellcode des Abschnitts bearbeiten: Industrie"><span>Quelltext bearbeiten</span></a><span class="mw-editsection-bracket">]</span></span></div> <p>In Deutschland haben die Unternehmen <a href="/wiki/ZF_Friedrichshafen" title="ZF Friedrichshafen">ZF Friedrichshafen</a> und der Halbleiterhersteller <a href="/wiki/Wolfspeed" title="Wolfspeed">Wolfspeed</a> Anfang 2023 ihre Kooperation und Fertigung von SiC-Produkten im Saarland angekündigt.<sup id="cite_ref-12" class="reference"><a href="#cite_note-12"><span class="cite-bracket">[</span>12<span class="cite-bracket">]</span></a></sup><sup id="cite_ref-13" class="reference"><a href="#cite_note-13"><span class="cite-bracket">[</span>13<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> ZF beteiligt sich an dem Werk mit 170 Mio. Euro.<sup id="cite_ref-14" class="reference"><a href="#cite_note-14"><span class="cite-bracket">[</span>14<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> Die Gesamtkosten der Fabrik werden auf 2,75 Milliarden Euro geschätzt.<sup id="cite_ref-15" class="reference"><a href="#cite_note-15"><span class="cite-bracket">[</span>15<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> </p><p>Der deutsche Halbleiterhersteller <a href="/wiki/Infineon" title="Infineon">Infineon</a> eröffnete 2024 die erste Phase einer <a href="/wiki/Wafer" title="Wafer">200-mm</a>-SiC-Fabrik im <a href="/w/index.php?title=Kulim&action=edit&redlink=1" class="new" title="Kulim (Seite nicht vorhanden)">Kulim</a>-Hi-Tech-Industrial-Park in <a href="/wiki/Malaysia" title="Malaysia">Malaysia</a>, die auch eine GaN-Epitaxie umfasst.<sup id="cite_ref-enet2024_16-0" class="reference"><a href="#cite_note-enet2024-16"><span class="cite-bracket">[</span>16<span class="cite-bracket">]</span></a></sup><sup id="cite_ref-17" class="reference"><a href="#cite_note-17"><span class="cite-bracket">[</span>17<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> Mit dieser 2 Mrd.-Euro-Investition ergänzt Infineon seine bereits in <a href="/wiki/Villach" title="Villach">Villach</a> (Österreich) bestehenden Kapazitäten zur Produktion von SiC- und GaN-Leistungshalbleitern.<sup id="cite_ref-enet2024_16-1" class="reference"><a href="#cite_note-enet2024-16"><span class="cite-bracket">[</span>16<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> </p> <div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Literatur">Literatur</h2><span class="mw-editsection"><span class="mw-editsection-bracket">[</span><a href="/w/index.php?title=Halbleiter_mit_breitem_Bandabstand&veaction=edit&section=5" title="Abschnitt bearbeiten: Literatur" class="mw-editsection-visualeditor"><span>Bearbeiten</span></a><span class="mw-editsection-divider"> | </span><a href="/w/index.php?title=Halbleiter_mit_breitem_Bandabstand&action=edit&section=5" title="Quellcode des Abschnitts bearbeiten: Literatur"><span>Quelltext bearbeiten</span></a><span class="mw-editsection-bracket">]</span></span></div> <div class="sieheauch" role="navigation" style="font-style:italic;"><span class="sieheauch-text">Siehe auch</span>: <a href="/wiki/Halbleiterindustrie" title="Halbleiterindustrie">Halbleiterindustrie</a>, <a href="/wiki/Halbleiter" title="Halbleiter">Halbleiter</a> und <a href="/wiki/Mikroelektronik" title="Mikroelektronik">Mikroelektronik</a></div> <ul><li>Keh Yung Cheng: <cite class="lang" lang="en" dir="auto" style="font-style:italic">III–V Compound Semiconductors and Devices: An Introduction to Fundamentals</cite> (= <cite class="lang" lang="en" dir="auto" style="font-style:italic">Graduate Texts in Physics</cite>). Springer International Publishing, Cham 2020, <a href="/wiki/Spezial:ISBN-Suche/9783030519018" class="internal mw-magiclink-isbn">ISBN 978-3-03051901-8</a>, <a href="/wiki/Digital_Object_Identifier" title="Digital Object Identifier">doi</a>:<span class="uri-handle" style="white-space:nowrap"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://doi.org/10.1007/978-3-030-51903-2">10.1007/978-3-030-51903-2</a></span> (englisch).<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Abook&rfr_id=info:sid/de.wikipedia.org:Halbleiter+mit+breitem+Bandabstand&rft.au=Keh+Yung+Cheng&rft.btitle=III-V+Compound+Semiconductors+and+Devices%3A+An+Introduction+to+Fundamentals&rft.date=2020&rft.doi=10.1007%2F978-3-030-51903-2&rft.genre=book&rft.isbn=9783030519018&rft.place=Cham&rft.pub=Springer+International+Publishing&rft.series=Graduate+Texts+in+Physics" style="display:none"> </span></li> <li>Kiyoshi Takahashi, Akihiko Yoshikawa, Adarsh Sandhu (Hrsg.): <cite class="lang" lang="en" dir="auto" style="font-style:italic">Wide Bandgap Semiconductors</cite>. Springer Berlin Heidelberg, Berlin, Heidelberg 2007, <a href="/wiki/Spezial:ISBN-Suche/9783540472346" class="internal mw-magiclink-isbn">ISBN 978-3-540-47234-6</a>, <a href="/wiki/Digital_Object_Identifier" title="Digital Object Identifier">doi</a>:<span class="uri-handle" style="white-space:nowrap"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://doi.org/10.1007/978-3-540-47235-3">10.1007/978-3-540-47235-3</a></span> (englisch).<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Abook&rfr_id=info:sid/de.wikipedia.org:Halbleiter+mit+breitem+Bandabstand&rft.btitle=Wide+Bandgap+Semiconductors&rft.date=2007&rft.doi=10.1007%2F978-3-540-47235-3&rft.genre=book&rft.isbn=9783540472346&rft.place=Berlin%2C+Heidelberg&rft.pub=Springer+Berlin+Heidelberg" style="display:none"> </span></li> <li><a href="/wiki/Marius_Grundmann" title="Marius Grundmann">Marius Grundmann</a>: <cite class="lang" lang="en" dir="auto" style="font-style:italic">The Physics of Semiconductors: An Introduction Including Nanophysics and Applications</cite> (= <cite class="lang" lang="en" dir="auto" style="font-style:italic">Graduate Texts in Physics</cite>). Springer International Publishing, Cham 2021, <a href="/wiki/Spezial:ISBN-Suche/9783030515683" class="internal mw-magiclink-isbn">ISBN 978-3-03051568-3</a>, <a href="/wiki/Digital_Object_Identifier" title="Digital Object Identifier">doi</a>:<span class="uri-handle" style="white-space:nowrap"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://doi.org/10.1007/978-3-030-51569-0">10.1007/978-3-030-51569-0</a></span> (englisch).<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Abook&rfr_id=info:sid/de.wikipedia.org:Halbleiter+mit+breitem+Bandabstand&rft.au=Marius+Grundmann&rft.btitle=The+Physics+of+Semiconductors%3A+An+Introduction+Including+Nanophysics+and+Applications&rft.date=2021&rft.doi=10.1007%2F978-3-030-51569-0&rft.genre=book&rft.isbn=9783030515683&rft.place=Cham&rft.pub=Springer+International+Publishing&rft.series=Graduate+Texts+in+Physics" style="display:none"> </span></li></ul> <div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Einzelnachweise">Einzelnachweise</h2><span class="mw-editsection"><span class="mw-editsection-bracket">[</span><a href="/w/index.php?title=Halbleiter_mit_breitem_Bandabstand&veaction=edit&section=6" title="Abschnitt bearbeiten: Einzelnachweise" class="mw-editsection-visualeditor"><span>Bearbeiten</span></a><span class="mw-editsection-divider"> | </span><a href="/w/index.php?title=Halbleiter_mit_breitem_Bandabstand&action=edit&section=6" title="Quellcode des Abschnitts bearbeiten: Einzelnachweise"><span>Quelltext bearbeiten</span></a><span class="mw-editsection-bracket">]</span></span></div> <ol class="references"> <li id="cite_note-books-GrMzCjVNHEsC-478-1"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-books-GrMzCjVNHEsC-478_1-0">↑</a></span> <span class="reference-text">Werner Bindmann: <i>German Dictionary of Microelectronics.</i> Psychology Press, 1999, <a href="/wiki/Spezial:ISBN-Suche/041517340X" class="internal mw-magiclink-isbn">ISBN 0-415-17340-X</a>, S. 478 (<a rel="nofollow" class="external text" href="https://books.google.de/books?id=GrMzCjVNHEsC&pg=PA478#v=onepage">eingeschränkte Vorschau</a> in der Google-Buchsuche).</span> </li> <li id="cite_note-Thema_Forschung-2"><span class="mw-cite-backlink">↑ <sup><a href="#cite_ref-Thema_Forschung_2-0">a</a></sup> <sup><a href="#cite_ref-Thema_Forschung_2-1">b</a></sup></span> <span class="reference-text"><span class="cite">Dimitris Pavlidis: <a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.tu-darmstadt.de/media/daa_responsives_design/01_die_universitaet_medien/aktuelles_6/publikationen_km/themaforschung/2006_2/06_02_gesamt.pdf"><i>Wide- and Narrow-Bandgap Semiconductor Materials.</i></a> (PDF) In: <i>Thema Forschung.</i> <a href="/wiki/Technische_Universit%C3%A4t_Darmstadt" title="Technische Universität Darmstadt">TU Darmstadt</a>, Februar 2006, <span style="white-space:nowrap;">S. 38–41</span>,<span class="Abrufdatum"> abgerufen am 1. November 2023</span> (englisch, deutsch).</span><span style="display: none;" class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Adc&rfr_id=info%3Asid%2Fde.wikipedia.org%3AHalbleiter+mit+breitem+Bandabstand&rft.title=Wide-+and+Narrow-Bandgap+Semiconductor+Materials&rft.description=Wide-+and+Narrow-Bandgap+Semiconductor+Materials&rft.identifier=https%3A%2F%2Fwww.tu-darmstadt.de%2Fmedia%2Fdaa_responsives_design%2F01_die_universitaet_medien%2Faktuelles_6%2Fpublikationen_km%2Fthemaforschung%2F2006_2%2F06_02_gesamt.pdf&rft.creator=Dimitris+Pavlidis&rft.publisher=%5B%5BTechnische+Universit%C3%A4t+Darmstadt%7CTU+Darmstadt%5D%5D&rft.date=2006-02&rft.language=en de"> </span></span> </li> <li id="cite_note-3"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-3">↑</a></span> <span class="reference-text"><a href="/wiki/Arnold_F._Holleman" title="Arnold F. Holleman">A. F. Holleman</a>, <a href="/wiki/Egon_Wiberg" title="Egon Wiberg">E. Wiberg</a>, <a href="/wiki/Nils_Wiberg" title="Nils Wiberg">N. Wiberg</a>: <i><a href="/wiki/Holleman-Wiberg_Lehrbuch_der_Anorganischen_Chemie" title="Holleman-Wiberg Lehrbuch der Anorganischen Chemie">Lehrbuch der Anorganischen Chemie</a>.</i> 101. Auflage. Walter de Gruyter, Berlin 1995, <a href="/wiki/Spezial:ISBN-Suche/3110126419" class="internal mw-magiclink-isbn">ISBN 3-11-012641-9</a>, S. 1313.<span class="editoronly" style="display:none;"></span></span> </li> <li id="cite_note-4"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-4">↑</a></span> <span class="reference-text"><span class="cite">Shyh-Chiang Shen: <a rel="nofollow" class="external text" href="http://users.ece.gatech.edu/~shensc/research.html"><i>Wide-bandgap device research and development at SRL.</i></a> <a href="/wiki/Georgia_Institute_of_Technology" title="Georgia Institute of Technology">Georgia Institute of Technology</a> Semiconductor Research Laboratory,<span class="Abrufdatum"> abgerufen am 5. Juni 2015</span> (englisch).</span><span style="display: none;" class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Adc&rfr_id=info%3Asid%2Fde.wikipedia.org%3AHalbleiter+mit+breitem+Bandabstand&rft.title=Wide-bandgap+device+research+and+development+at+SRL&rft.description=Wide-bandgap+device+research+and+development+at+SRL&rft.identifier=http%3A%2F%2Fusers.ece.gatech.edu%2F%7Eshensc%2Fresearch.html&rft.creator=Shyh-Chiang+Shen&rft.publisher=%5B%5BGeorgia+Institute+of+Technology%5D%5D+Semiconductor+Research+Laboratory&rft.language=en"> </span></span> </li> <li id="cite_note-5"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-5">↑</a></span> <span class="reference-text"><span class="cite">Diana Goovaerts: <a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.wirelessweek.com/news/2017/03/gan-gaining-ground-mobile-wireless-infrastructure-market"><i>GaN Gaining Ground in Mobile Wireless Infrastructure Market.</i></a> Wireless Week, 27. März 2017,<span class="Abrufdatum"> abgerufen am 1. April 2017</span> (englisch).</span><span style="display: none;" class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Adc&rfr_id=info%3Asid%2Fde.wikipedia.org%3AHalbleiter+mit+breitem+Bandabstand&rft.title=GaN+Gaining+Ground+in+Mobile+Wireless+Infrastructure+Market&rft.description=GaN+Gaining+Ground+in+Mobile+Wireless+Infrastructure+Market&rft.identifier=https%3A%2F%2Fwww.wirelessweek.com%2Fnews%2F2017%2F03%2Fgan-gaining-ground-mobile-wireless-infrastructure-market&rft.creator=Diana+Goovaerts&rft.publisher=Wireless+Week&rft.date=2017-03-27&rft.language=en"> </span></span> </li> <li id="cite_note-USDOE-6"><span class="mw-cite-backlink">↑ <sup><a href="#cite_ref-USDOE_6-0">a</a></sup> <sup><a href="#cite_ref-USDOE_6-1">b</a></sup></span> <span class="reference-text"><span class="cite"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://web.archive.org/web/20160222005930/http://www.manufacturing.gov/docs/wide_bandgap_semiconductors.pdf"><i>Wide Bandgap Semiconductors: Pursuing the Promise.</i></a> (PDF) <a href="/wiki/United_States_Department_of_Energy" class="mw-redirect" title="United States Department of Energy">United States Department of Energy</a>, April 2013, archiviert vom <style data-mw-deduplicate="TemplateStyles:r235239667">.mw-parser-output .dewiki-iconexternal>a{background-position:center right;background-repeat:no-repeat}body.skin-minerva .mw-parser-output .dewiki-iconexternal>a{background-image:url("https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/a/a4/OOjs_UI_icon_external-link-ltr-progressive.svg")!important;background-size:10px;padding-right:13px!important}body.skin-timeless .mw-parser-output .dewiki-iconexternal>a,body.skin-monobook .mw-parser-output .dewiki-iconexternal>a{background-image:url("https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/3/30/MediaWiki_external_link_icon.svg")!important;padding-right:13px!important}body.skin-vector .mw-parser-output .dewiki-iconexternal>a{background-image:url("https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/9/96/Link-external-small-ltr-progressive.svg")!important;background-size:0.857em;padding-right:1em!important}</style><span class="dewiki-iconexternal"><a class="external text" href="https://redirecter.toolforge.org/?url=http%3A%2F%2Fwww.manufacturing.gov%2Fdocs%2Fwide_bandgap_semiconductors.pdf">Original</a></span> (nicht mehr online verfügbar) am <span style="white-space:nowrap;">22. Februar 2016</span><span>;</span><span class="Abrufdatum"> abgerufen am 5. Juni 2015</span> (englisch).</span><span style="display: none;" class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Adc&rfr_id=info%3Asid%2Fde.wikipedia.org%3AHalbleiter+mit+breitem+Bandabstand&rft.title=Wide+Bandgap+Semiconductors%3A+Pursuing+the+Promise&rft.description=Wide+Bandgap+Semiconductors%3A+Pursuing+the+Promise&rft.identifier=https%3A%2F%2Fweb.archive.org%2Fweb%2F20160222005930%2Fhttp%3A%2F%2Fwww.manufacturing.gov%2Fdocs%2Fwide_bandgap_semiconductors.pdf&rft.publisher=%5B%5BUnited+States+Department+of+Energy%5D%5D&rft.date=2013-04&rft.source=http://www.manufacturing.gov/docs/wide_bandgap_semiconductors.pdf&rft.language=en"> </span></span> </li> <li id="cite_note-7"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-7">↑</a></span> <span class="reference-text"><span class="cite"><a rel="nofollow" class="external text" href="http://www.mechatronik.uni-bayreuth.de/de/download/Beispielprojekte/SiC-Einsatz-in-automobilen-Antriebsumrichtern.pdf"><i>SiC Einsatz in automobilen Antriebsumrichtern.</i></a> (PDF) <a href="/wiki/Universit%C3%A4t_Bayreuth" title="Universität Bayreuth">Uni Bayreuth</a>,<span class="Abrufdatum"> abgerufen am 1. März 2017</span>.</span><span style="display: none;" class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Adc&rfr_id=info%3Asid%2Fde.wikipedia.org%3AHalbleiter+mit+breitem+Bandabstand&rft.title=SiC+Einsatz+in+automobilen+Antriebsumrichtern&rft.description=SiC+Einsatz+in+automobilen+Antriebsumrichtern&rft.identifier=http%3A%2F%2Fwww.mechatronik.uni-bayreuth.de%2Fde%2Fdownload%2FBeispielprojekte%2FSiC-Einsatz-in-automobilen-Antriebsumrichtern.pdf&rft.publisher=%5B%5BUniversit%C3%A4t+Bayreuth%7CUni+Bayreuth%5D%5D"> </span></span> </li> <li id="cite_note-8"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-8">↑</a></span> <span class="reference-text"><span class="cite">Adam Khan: <a rel="nofollow" class="external text" href="http://www.eetimes.com/author.asp?section_id=36&doc_id=1330000"><i>Not-So Quiet Race in Wide Band Gap Semiconductor.</i></a> <a href="/wiki/EE_Times" title="EE Times">EE Times</a>, 30. Juni 2016,<span class="Abrufdatum"> abgerufen am 4. Juli 2016</span>.</span><span style="display: none;" class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Adc&rfr_id=info%3Asid%2Fde.wikipedia.org%3AHalbleiter+mit+breitem+Bandabstand&rft.title=Not-So+Quiet+Race+in+Wide+Band+Gap+Semiconductor&rft.description=Not-So+Quiet+Race+in+Wide+Band+Gap+Semiconductor&rft.identifier=http%3A%2F%2Fwww.eetimes.com%2Fauthor.asp%3Fsection_id%3D36%26doc_id%3D1330000&rft.creator=Adam+Khan&rft.publisher=%5B%5BEE+Times%5D%5D&rft.date=2016-06-30"> </span></span> </li> <li id="cite_note-9"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-9">↑</a></span> <span class="reference-text"><span class="cite">Chris J.H. Wort, Richard S. Balmer: <a rel="nofollow" class="external text" href="http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369702107703498"><i>Diamond as an electronic material.</i></a> In: <i>ScienceDirect, Volume 11, Issues 1–2, January–February 2008.</i> Elsevier, 7. Januar 2008, <span style="white-space:nowrap;">S. 22–28</span>,<span class="Abrufdatum"> abgerufen am 13. August 2017</span> (englisch).</span><span style="display: none;" class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Adc&rfr_id=info%3Asid%2Fde.wikipedia.org%3AHalbleiter+mit+breitem+Bandabstand&rft.title=Diamond+as+an+electronic+material&rft.description=Diamond+as+an+electronic+material&rft.identifier=http%3A%2F%2Fwww.sciencedirect.com%2Fscience%2Farticle%2Fpii%2FS1369702107703498&rft.creator=Chris+J.H.+Wort%2C+Richard+S.+Balmer&rft.publisher=Elsevier&rft.date=2008-01-07&rft.language=en"> </span></span> </li> <li id="cite_note-10"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-10">↑</a></span> <span class="reference-text"><span class="cite">Ricky Tu: <a rel="nofollow" class="external text" href="http://www.digitimes.com/news/a20171130PD212.html"><i>Digitimes Research: SiC, GaN power semiconductor markets to grow fast through 2025.</i></a> <a href="/wiki/DigiTimes" title="DigiTimes">DigiTimes</a>, 30. November 2017,<span class="Abrufdatum"> abgerufen am 30. November 2017</span> (englisch).</span><span style="display: none;" class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Adc&rfr_id=info%3Asid%2Fde.wikipedia.org%3AHalbleiter+mit+breitem+Bandabstand&rft.title=Digitimes+Research%3A+SiC%2C+GaN+power+semiconductor+markets+to+grow+fast+through+2025&rft.description=Digitimes+Research%3A+SiC%2C+GaN+power+semiconductor+markets+to+grow+fast+through+2025&rft.identifier=http%3A%2F%2Fwww.digitimes.com%2Fnews%2Fa20171130PD212.html&rft.creator=Ricky+Tu&rft.publisher=%5B%5BDigiTimes%5D%5D&rft.date=2017-11-30&rft.language=en"> </span></span> </li> <li id="cite_note-11"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-11">↑</a></span> <span class="reference-text"><span class="cite"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.sglcarbon.com/newsroom/storys/warum-siliziumkarbid-halbleiter-eine-grosse-zukunft-haben/"><i>Warum Siliziumkarbid-Halbleiter eine große Zukunft haben.</i></a> In: <i>sglcarbon.com.</i> 16. Juni 2020,<span class="Abrufdatum"> abgerufen am 16. Mai 2023</span>.</span><span style="display: none;" class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Adc&rfr_id=info%3Asid%2Fde.wikipedia.org%3AHalbleiter+mit+breitem+Bandabstand&rft.title=Warum+Siliziumkarbid-Halbleiter+eine+gro%C3%9Fe+Zukunft+haben&rft.description=Warum+Siliziumkarbid-Halbleiter+eine+gro%C3%9Fe+Zukunft+haben&rft.identifier=https%3A%2F%2Fwww.sglcarbon.com%2Fnewsroom%2Fstorys%2Fwarum-siliziumkarbid-halbleiter-eine-grosse-zukunft-haben%2F&rft.date=2020-06-16"> </span></span> </li> <li id="cite_note-12"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-12">↑</a></span> <span class="reference-text"><span class="cite">Anne-Françoise Pelé: <a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.eetimes.eu/wolfspeed-to-build-200-mm-sic-wafer-fab-in-germany/"><i>Wolfspeed to Build 200-mm SiC Wafer Fab in Germany.</i></a> 8. Februar 2023,<span class="Abrufdatum"> abgerufen am 5. September 2024</span> (amerikanisches Englisch).</span><span style="display: none;" class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Adc&rfr_id=info%3Asid%2Fde.wikipedia.org%3AHalbleiter+mit+breitem+Bandabstand&rft.title=Wolfspeed+to+Build+200-mm+SiC+Wafer+Fab+in+Germany&rft.description=Wolfspeed+to+Build+200-mm+SiC+Wafer+Fab+in+Germany&rft.identifier=https%3A%2F%2Fwww.eetimes.eu%2Fwolfspeed-to-build-200-mm-sic-wafer-fab-in-germany%2F&rft.creator=Anne-Fran%C3%A7oise+Pel%C3%A9&rft.date=2023-02-08&rft.language=en-US"> </span></span> </li> <li id="cite_note-13"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-13">↑</a></span> <span class="reference-text"><span class="cite"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.wolfspeed.com/company/news-events/news/wolfspeed-and-zf-announce-partnership-for-future-silicon-carbide-semiconductor-devices/"><i>Wolfspeed and ZF Announce Partnership for Future Silicon Carbide Semiconductor Devices | Wolfspeed.</i></a> Wolfspeed,<span class="Abrufdatum"> abgerufen am 5. September 2024</span> (amerikanisches Englisch).</span><span style="display: none;" class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Adc&rfr_id=info%3Asid%2Fde.wikipedia.org%3AHalbleiter+mit+breitem+Bandabstand&rft.title=Wolfspeed+and+ZF+Announce+Partnership+for+Future+Silicon+Carbide+Semiconductor+Devices+%7C+Wolfspeed&rft.description=Wolfspeed+and+ZF+Announce+Partnership+for+Future+Silicon+Carbide+Semiconductor+Devices+%7C+Wolfspeed&rft.identifier=https%3A%2F%2Fwww.wolfspeed.com%2Fcompany%2Fnews-events%2Fnews%2Fwolfspeed-and-zf-announce-partnership-for-future-silicon-carbide-semiconductor-devices%2F&rft.publisher=Wolfspeed&rft.language=en-us"> </span></span> </li> <li id="cite_note-14"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-14">↑</a></span> <span class="reference-text"><span class="cite"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://de.nachrichten.yahoo.com/mitarbeiter-gehen-barrikaden-autozulieferer-will-110400472.html"><i>Mitarbeiter gehen auf die Barrikaden: Autozulieferer will bis zu 14.000 Stellen abbauen.</i></a> 5. September 2024,<span class="Abrufdatum"> abgerufen am 5. September 2024</span> (deutsch).</span><span style="display: none;" class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Adc&rfr_id=info%3Asid%2Fde.wikipedia.org%3AHalbleiter+mit+breitem+Bandabstand&rft.title=Mitarbeiter+gehen+auf+die+Barrikaden%3A+Autozulieferer+will+bis+zu+14.000+Stellen+abbauen&rft.description=Mitarbeiter+gehen+auf+die+Barrikaden%3A+Autozulieferer+will+bis+zu+14.000+Stellen+abbauen&rft.identifier=https%3A%2F%2Fde.nachrichten.yahoo.com%2Fmitarbeiter-gehen-barrikaden-autozulieferer-will-110400472.html&rft.date=2024-09-05&rft.language=de-DE"> </span></span> </li> <li id="cite_note-15"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-15">↑</a></span> <span class="reference-text"><span class="cite">S. W. R. Aktuell: <a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.swr.de/swraktuell/baden-wuerttemberg/friedrichshafen/zf-will-sich-bei-halbleiter-werk-im-saarland-beteiligen-100.html"><i>Milliardeninvestition in weltweit größtes Werk: ZF will sich an Chipfabrik beteiligen.</i></a> 3. Februar 2023,<span class="Abrufdatum"> abgerufen am 5. September 2024</span>.</span><span style="display: none;" class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Adc&rfr_id=info%3Asid%2Fde.wikipedia.org%3AHalbleiter+mit+breitem+Bandabstand&rft.title=Milliardeninvestition+in+weltweit+gr%C3%B6%C3%9Ftes+Werk%3A+ZF+will+sich+an+Chipfabrik+beteiligen&rft.description=Milliardeninvestition+in+weltweit+gr%C3%B6%C3%9Ftes+Werk%3A+ZF+will+sich+an+Chipfabrik+beteiligen&rft.identifier=https%3A%2F%2Fwww.swr.de%2Fswraktuell%2Fbaden-wuerttemberg%2Ffriedrichshafen%2Fzf-will-sich-bei-halbleiter-werk-im-saarland-beteiligen-100.html&rft.creator=S.+W.+R.+Aktuell&rft.date=2023-02-03&rft.language=de"> </span></span> </li> <li id="cite_note-enet2024-16"><span class="mw-cite-backlink">↑ <sup><a href="#cite_ref-enet2024_16-0">a</a></sup> <sup><a href="#cite_ref-enet2024_16-1">b</a></sup></span> <span class="reference-text"><span class="cite">Iris Stroh: <a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.elektroniknet.de/halbleiter/leistungshalbleiter/infineon-eroeffnet-sic-leistungshalbleiterfabrik-in-malaysia.219536.html"><i>Infineon eröffnet SiC-Leistungshalbleiterfabrik in Malaysia.</i></a><span class="Abrufdatum"> Abgerufen am 5. September 2024</span> (deutsch).</span><span style="display: none;" class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Adc&rfr_id=info%3Asid%2Fde.wikipedia.org%3AHalbleiter+mit+breitem+Bandabstand&rft.title=Infineon+er%C3%B6ffnet+SiC-Leistungshalbleiterfabrik+in+Malaysia&rft.description=Infineon+er%C3%B6ffnet+SiC-Leistungshalbleiterfabrik+in+Malaysia&rft.identifier=https%3A%2F%2Fwww.elektroniknet.de%2Fhalbleiter%2Fleistungshalbleiter%2Finfineon-eroeffnet-sic-leistungshalbleiterfabrik-in-malaysia.219536.html&rft.creator=Iris+Stroh&rft.language=de-DE"> </span></span> </li> <li id="cite_note-17"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-17">↑</a></span> <span class="reference-text"><span class="cite"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://pbt.kedah.gov.my/index.php/pbt-taman-perindustrian-hi-tech-kulim/"><i>PBT TAMAN PERINDUSTRIAN HI-TECH KULIM – Portal PBT Kedah.</i></a> Portal Rasmi Pihak Berkuasa Tempatan Negeri Kedah Darul Aman,<span class="Abrufdatum"> abgerufen am 5. September 2024</span>.</span><span style="display: none;" class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Adc&rfr_id=info%3Asid%2Fde.wikipedia.org%3AHalbleiter+mit+breitem+Bandabstand&rft.title=PBT+TAMAN+PERINDUSTRIAN+HI-TECH+KULIM+%E2%80%93+Portal+PBT+Kedah&rft.description=PBT+TAMAN+PERINDUSTRIAN+HI-TECH+KULIM+%E2%80%93+Portal+PBT+Kedah&rft.identifier=https%3A%2F%2Fpbt.kedah.gov.my%2Findex.php%2Fpbt-taman-perindustrian-hi-tech-kulim%2F&rft.publisher=Portal+Rasmi+Pihak+Berkuasa+Tempatan+Negeri+Kedah+Darul+Aman"> </span></span> </li> </ol></div><noscript><img src="https://login.wikimedia.org/wiki/Special:CentralAutoLogin/start?type=1x1&useformat=desktop" alt="" width="1" height="1" style="border: none; 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